年度 2012
全部作者 王 进贤(国立中正大学电机工程学系)
论文名称 Design of 65 nm Sub-Threshold SRAM Using the Bitline Leakage Prediction Scheme and the Non-trimmed Sense Amplifier
期刊名称 IEICE TRANSACTIONS on Electronics
卷数 E95-C
期数 1
起页 172
迄页 175
发表日期 2012-01-01
语言 英文